专注于
功率半导体

Analog Power 提供应用导向的电源管理解决方案,N沟道和P沟道MOSFET导通电阻低至 1 mΩ,封装涵盖DFN、SO-8、DPAK和TO-220。

1500+ 产品数量
40+ 封装类型
1mΩ 最低 RDS(on)
1200V 最高 VDS
Ultra-Low RDS(on) DFN5x6
AMR418N
VDS 30V
RDS(on) 1mΩ
ID 100A
Config N-Channel
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产品类别

适用于各种应用的完整MOSFET解决方案

最新消息

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Analog Power 今日发布全新 AMDMP45H4D9HK3,这是一款采用 TO-252 封装的高压 -450V P 沟道 MOSFET。该器件具备 4.9Ω 的导通电阻(RDS(on)),专为稳定高压切换优化,能显著简化高侧驱动电路设计并优化布局灵活性。

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为满足不同设计需求,Analog Power Inc. 为该 600V P 沟道 MOSFET 系列提供多种行业标准封装,说明工程师在散热性能、功率密度和 PCB 占板面积之间灵活取舍。

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Analog Power 今日正式推出 AMS406N,一款超低导通电阻 0.99mΩ、额定 30V 的 N 沟道 MOSFET,在小尺寸功率器件领域树立了全新标杆。

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